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MBR40035CTL	文件：428.11 Kbytes Page：3 Pages	High Surge Capability	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR40035CTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：双塔架；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR40035CTR	文件：698.12 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR40035CTR	文件：325.14 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •TypesUpto100VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
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MBR40035CTR	文件：133.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBRF40035	文件：467.37 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRF40035	文件：815.84 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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MBRF40035R	文件：124.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE400A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

产品属性

产品编号：
MBR40035CTL
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	MBR40035CTL	GeneSiC Semiconductor	22+	Twin Tower	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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