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MBR360T3	文件：75.68 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRAF360T3G	文件：64.8 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRAF360T3G	文件：105.81 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：245.74 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：249.27 Kbytes Page：8 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：117.32 Kbytes Page：7 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS360T3G	文件：141.61 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES,60VOLTS ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURS360T3	文件：77.36 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURS360T3	文件：107.97 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS3.0AMPERES200-600VOLTS SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers ...employingstate–of–the–artepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandprotectiondiodes,insurfacemountapplicationswherecompact	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	MBR360T3	ON	23+	DO-201	9500	正品原装货价格低	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	MBR360TR	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MBR360肖特基二极管	ON/安森美	23+	DO201	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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