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MBR2H200SF	文件：204.82 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD-123FL Package This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system 文件：204.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SF	文件：75.18 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：75.18 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SFT1G	文件：204.82 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD-123FL Package This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system 文件：204.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SFT3G	文件：204.82 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD-123FL Package This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system 文件：204.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SF_17	文件：75.18 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：75.18 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SFT1G	文件：75.18 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：75.18 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SFT3G	文件：75.18 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：75.18 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SFT3G	文件：72.2 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：72.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SF	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基功率整流器，表面贴装，2.0 A，200 V This Schottky Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode. Ideally suited for free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications, where compact size and weight are critical to the system. Because of its small size, it is ideal • Guardring for Stress Protection\n• Low Forward VoltageLow Forward Voltage\n• Epoxy Meets UL 94 V−0\n• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly\n• These are Pb−Free Devices;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2H200SFT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123F；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 2A SOD123FL	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Type：
Schottky
IO(rec) Max (A)：
2
VRRM Max (V)：
200
VFM Max (V)：
0.86
IFSM Max (A)：
30
IR Max (mA)：
0.2
Package Type：
SOD-123FL

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