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MBR2535CTL	文件：65.88 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??Power Rectifier . . . employing the Schottky Barrier principle in a large metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supplies, free wheeling diodes, 文件：65.88 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MBR2535CTL	文件：289.3 Kbytes Page：4 Pages	MBR2535CTL SCHOTTKY RECTIFIER Features 150C TJ operation Center tap configuration Low forward voltage drop High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance High frequency operation Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability This is a Pb − Fr 文件：289.3 Kbytes 页数：4 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
MBR2535CTL	文件：203.91 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 文件：203.91 Kbytes 页数：6 Pages	SMC 桑德斯微电子	SMC
MBR2535CTL	文件：445.08 Kbytes Page：2 Pages	25A SCHOTTKY RECTIFIER 文件：445.08 Kbytes 页数：2 Pages	DIGITRON	DIGITRON
MBR2535CTL	文件：52.65 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier 文件：52.65 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2535CTL	文件：111.39 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier 文件：111.39 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2535CTLG	文件：83.69 Kbytes Page：4 Pages	Switch-mode Power Rectifier Features and Benefits • Low Forward Voltage • Low Power Loss/High Efficiency • High Surge Capacity • 150°C Operating Junction Temperature • 25 A Total (12.5 A Per Diode Leg) • Pb−Free Packages are Available* Applications • Power Supply – Output Rectification • Power Management • Instrume 文件：83.69 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2535CTLG	文件：116.08 Kbytes Page：4 Pages	Switch-mode Power Rectifier Features and Benefits  Low Forward Voltage  Low Power Loss/High Efficiency  High Surge Capacity  150C Operating Junction Temperature  25 A Total (12.5 A Per Diode Leg)  This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant* Applications  Power Supply – Output Rectification  Power Manageme 文件：116.08 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2535CTLG_V01	文件：116.08 Kbytes Page：4 Pages	Switch-mode Power Rectifier Features and Benefits  Low Forward Voltage  Low Power Loss/High Efficiency  High Surge Capacity  150C Operating Junction Temperature  25 A Total (12.5 A Per Diode Leg)  This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant* Applications  Power Supply – Output Rectification  Power Manageme 文件：116.08 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2535CTL_06	文件：52.65 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier 文件：52.65 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBR2535CTL
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
SWITCHMODE™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
12.5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB

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