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MBR2045MFS	文件：142.22 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers These state−of−the−art devices have the following features: Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 150°C Operating Junction Temperature • Wetta 文件：142.22 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFS	文件：62.24 Kbytes Page：5 Pages	Switch Mode Power Rectifiers 文件：62.24 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFS_V01	文件：142.22 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers These state−of−the−art devices have the following features: Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 150°C Operating Junction Temperature • Wetta 文件：142.22 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFST1G	文件：142.22 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers These state−of−the−art devices have the following features: Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 150°C Operating Junction Temperature • Wetta 文件：142.22 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFST3G	文件：142.22 Kbytes Page：6 Pages	Switch Mode Power Rectifiers These state−of−the−art devices have the following features: Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 150°C Operating Junction Temperature • Wetta 文件：142.22 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFST1G	文件：62.24 Kbytes Page：5 Pages	Switch Mode Power Rectifiers 文件：62.24 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFST3G	文件：62.24 Kbytes Page：5 Pages	Switch Mode Power Rectifiers 文件：62.24 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFS	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 A，45 V 肖特基二极管，采用 SO-8FL 封装 20 A, 45 V Schottky Diode in SO-8FL • Low Power Loss / High Efficiency\n• New Package Provides Capability of Inspection and Probe AfterBoard Mounting\n• Guardring for Stress Protection\n• Low Forward Voltage Drop\n• 150°C Operating Junction Temperature\n• Wettable Flacks Option Available\n• These are Pb−Free and Halide−Free Devices;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFST1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR2045MFST3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
45
VF Max (V)：
0.61
IRM Max (µA)：
600
IO(rec) Max (A)：
20
IFSM Max (A)：
400
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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