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MBR20060CT	文件：414.36 Kbytes Page：3 Pages	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier Features · Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton · Guard ring for transient protection · Low power loss high efficiency · High surge capacity, High current capability 文件：414.36 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MBR20060CT	文件：136.64 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Schottky Diode, 200A Features • Guard Ring Protection • Low forward voltage drop • High surge current capability • Up to 100V VRRM 文件：136.64 Kbytes 页数：2 Pages	NAINA	NAINA
MBR20060CT	文件：47.9 Kbytes Page：1 Pages	200 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts 200 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts 文件：47.9 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MBR20060CT	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A 200Amp Rectifier 20-100 Volts Features High Surge Capability Types Up to 100V VRRM 文件：133.83 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
MBR20060CT	文件：446.88 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS 文件：446.88 Kbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
MBR20060CT	文件：712.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode 文件：712.33 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MBR20060CT	文件：123.24 Kbytes Page：2 Pages	Schottky PowerMod 文件：123.24 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MBR20060CTR	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A 200Amp Rectifier 20-100 Volts Features High Surge Capability Types Up to 100V VRRM 文件：133.83 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
MBR20060CTR	文件：712.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode 文件：712.33 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MBR20060CTR	文件：446.88 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS 文件：446.88 Kbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI

产品属性

产品编号：
MBR20060CT
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200A（DC）
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER

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