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MBR20030R

SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A

Features High Surge Capability Types Up to 100V VRRM

文件:121.24 Kbytes 页数:2 Pages

TEL

MBR20030CT

Schottky PowerMod

文件:123.49 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

MBR20030CT

Silicon Power Schottky Diode

文件:542.18 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MBR20030CTR

Silicon Power Schottky Diode

文件:542.18 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MBR20030CT

Schottky Rectifiers

Navitas

纳微半导体

MBR20030CTR

Schottky Rectifiers

Navitas

纳微半导体

MBR20030CT

Package:双塔架;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

MBR20030CTR

Package:双塔架;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

技术参数

  • Peak Reverse Repetitive Voltage:

    30V

  • Peak Reverse Current:

    5000uA

  • Peak Non-Repetitive Surge Current:

    3000A

  • Peak Forward Voltage:

    0.63V

  • Minimum Operating Temperature:

    -65°C

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Continuous Forward Current:

    200A

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MBR20030供应商 更新时间2025-12-17 18:35:00