Surface Mount Schottky Power Rectifier

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ONSEMI

安森美半导体

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肖特基功率整流器，表面贴装，1.0 A，40 V

The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The Schottky Rectifier's state-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as recti • Guardring for Stress Protection\n• Low Forward Voltage\n• 125 C Operating Junction Temperature\n• Epoxy Meets UL94, VO at 1/8 inch\n• Package Designed for Optimal Automated Assembly\n• ESD Ratings: Machine Model = C, Human Body Model = 3B\n• All Packages are Pb-Free\n• AEC-Q101 Qualified and PPAP ;

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Package：SOD-123F；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

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Package：SOD-123F；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY

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Package：SOD-123F；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

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