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MBR120100C

Silicon Schottky Diode, 120A

NAINA(NSL)

MBR120100CT

Schottky Rectifiers

Navitas

纳微半导体

MBR120100CTR

Schottky Rectifiers

Navitas

纳微半导体

MBR120100CT

Package:双塔架;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE 100V 120A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

MBR120100CTR

Package:双塔架;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE 100V 120A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

技术参数

  • Io@Tj(A):

    120

  • IFSM(A):

    800

  • IR@Tj(mA):

    20

  • Designation:

    Twin-Tower

  • Type:

    Module

  • Compliance:

    ' ''>

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GeneSiC
1935+
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GeneSiC Semiconductor
22+
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9000
原厂渠道,现货配单
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NSL
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120A/100V
1500
长期供应,价格优势,全新原装,支持实单,
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5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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2023+
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48000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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更多MBR120100C供应商 更新时间2025-12-5 10:19:00