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MBR1200	文件：135.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE Features ● Schottky Barrier Chip ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● High Current Capability ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Current Capability ● For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection Applications 文件：135.4 Kbytes 页数：2 Pages	ZSELEC 淄博圣诺	ZSELEC
MBR1200CT	文件：805.73 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS. Schottky Barrier Rectifiers 文件：805.73 Kbytes 页数：2 Pages	GXELECTRONICS 星合电子	GXELECTRONICS
MBR1200E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE 20V TO 200V FORWARD CURRENT 1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200E is available in SOD-323HE Package FEATURES  Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V 0  Low power loss, high efficiency  For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection appl 文件：484.28 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MBR1200F	文件：435.52 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE 20 TO 200V FORWARD CURRENT 1.0A DESCRIPTION Th e MBR120 F MBR1200 F are available in S OD 1 23 FL p a ckage FEATURES ⚫ M e tal silicon junction, majority carrier conduction ⚫ For surface mounted applications ⚫ Low power loss, high efficien cy ⚫ High forward surge current capability ⚫ For use in low volta ge, high fre 文件：435.52 Kbytes 页数：5 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MBR1200F	文件：693.88 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes ■ Features ● Low power loss,high efficiency ● High forward surge current capability ● The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 文件：693.88 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MBR120100	文件：412.74 Kbytes Page：3 Pages	120 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier Features · Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton · Guard ring for transient protection · Low power loss high efficiency · High surge capacity, High current capability 文件：412.74 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MBR120100	文件：121 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A Features High Surge Capability Types Up to 100V VRRM 文件：121 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
MBR120100C	文件：137.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Schottky Diode, 120A Features • Guard Ring Protection • Low forward voltage drop • High surge current capability • Up to 100V VRRM 文件：137.44 Kbytes 页数：2 Pages	NAINA	NAINA
MBR120100CT	文件：472.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode Features • High Surge Capability • Types from 45 V to 100 V VRRM • Not ESD Sensitive 文件：472.17 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MBR120100CT	文件：439.34 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS Features • High Surge Capability • Types up to 100 V VRRM 文件：439.34 Kbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI

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技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM(V)max.：
20
IF(A)max.：
1
VF (V)max：
0.75
IFSM(A)max.：
20
IR(uA)max.：
1000
TJ(°C)max.：
125
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
小信号肖特基二极管

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更多MBR120供应商更新时间2025-12-24 15:30:00

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