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MBR1080	文件：509.76 Kbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：509.76 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1080	文件：498.6 Kbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton This series of SWITCHMODE power rectifiers uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These state−of−the−art devices have the following features: Features • Guard−Ring for Stress Protection • Low Forward Voltage • 175°C Operating Junction Temperature • Epoxy Meets UL 9 文件：498.6 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1080	文件：498.63 Kbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：498.63 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1080	文件：1.40839 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.40839 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR1080	文件：1.45138 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.45138 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR1080	文件：1.4564 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.4564 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR1080	文件：252.37 Kbytes Page：6 Pages	Switching power supply 文件：252.37 Kbytes 页数：6 Pages	SMC 桑德斯微电子	SMC
MBR1080	文件：1.23352 Mbytes Page：2 Pages	丝印：MDDMBR1080；Package：TO-220AC；SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：1.23352 Mbytes 页数：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
MBR1080	文件：1.37841 Mbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers 文件：1.37841 Mbytes 页数：2 Pages	JUXING 广东钜兴电子	JUXING
MBR1080	文件：292.94 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：292.94 Kbytes 页数：3 Pages	HORNBY 南通康比电子	HORNBY

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产品属性

产品编号：
MBR1080
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
SWITCHMODE™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO220-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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