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MBR1040C	文件：128.77 Kbytes Page：2 Pages	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：128.77 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
MBR1040CD-HF	文件：475.04 Kbytes Page：4 Pages	丝印：MBR1040CD；Package：TO-252；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features - For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. - For through hole applications. - Built-in strain relief. - High surge capacity. - Low profile package. - Low power loss, high efficiency. - Plastic package has underwrites la 文件：475.04 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
MBR1040CT	文件：2.39945 Mbytes Page：3 Pages	丝印：MBR1040CT；Package：TO-220AB；Schottky Diodes Features High frequency operation Low forward voltage drop High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 文件：2.39945 Mbytes 页数：3 Pages	RFE RFE international	RFE
MBR1040CD	文件：2.27794 Mbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY RECTIFIERS VOLTAGE 20~200 Volts CURRENT 10 Ampers FEATURES • Power pack • Metal silicon junction ,majority carrier conduction • Guard ring for overvoltage protection • Low power loss ,high efficiency • High current capability ,low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency 文件：2.27794 Mbytes 页数：5 Pages	NIUHANG 纽航电子	NIUHANG
MBR1040CT	文件：197.32 Kbytes Page：2 Pages	Switchmode Full Plastic Dual Schottky Barrier Power Rectifiers Switchmode Full Plastic Dual Schottky Barrier Power Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rec 文件：197.32 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MBR1040CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.13967 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1040CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.13967 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1040CT	文件：779.28 Kbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：779.28 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1040CT	文件：1.12838 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.12838 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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技术参数

IO (A)：
10
VRM(VR)(V)：
40
IFSM(A)：
125
VFMRatingMAX.(V)：
0.8
VFMConditionsIF(A)：
10
IRM(IR)RatingMAX.(μA)：
100
IRM(IR)ConditionsVR(V)：
40
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MBR1040CT	LT	24+	TO-220	7000		询价
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更多MBR1040C供应商更新时间2025-10-7 15:30:00

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