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MBR1030CT	文件：82.07 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES • Schottky Barrier Chip • Guard Ring Die Construction for Transient Protection • Low Power Loss, High Efficiency • High Surge Capability • High Current Capability and Low Forward Voltage Drop • For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protect 文件：82.07 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MBR1030CT	文件：219.73 Kbytes Page：2 Pages	DUAL SCHOTTKY RECTIFIERS VOLTAGE RANGE: 20 - 60 V CURRENT: 10 A FEATURES ◇ High surge capacity. ◇ For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. ◇ Metal silicon junction, majority carrier conduction. ◇ High current capacity, low forward voltage drop. ◇ Guar 文件：219.73 Kbytes 页数：2 Pages	DSK	DSK
MBR1030CT	文件：2.27794 Mbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY RECTIFIERS VOLTAGE 20~200 Volts CURRENT 10 Ampers FEATURES • Power pack • Metal silicon junction ,majority carrier conduction • Guard ring for overvoltage protection • Low power loss ,high efficiency • High current capability ,low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency 文件：2.27794 Mbytes 页数：5 Pages	NIUHANG 纽航电子	NIUHANG
MBR1030CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.13967 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1030CT	文件：779.28 Kbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：779.28 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1030CT	文件：1.12838 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.12838 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1030CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.13967 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1030CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：1.13967 Mbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR1030CT	文件：1.47335 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.47335 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR1030CT	文件：1.4945 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.4945 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG

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技术参数

VRM_Max (V)：
300
Io_Max(A)：
10
IFSM_Max(A)：
200
Rated lo(A)：
5
VF_Max(V)：
0.975
IR@25℃IR(uA)：
0.05
IR@100℃IR(uA)：
10
Tj（℃）：
-55～+150
Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MBR1035		24+		3000	公司现货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	MBR1035G	ON	2015+	TO-2202	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
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