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MBR10100CP	文件：1.13243 Mbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
MBR10100CR	文件：146.09 Kbytes Page：4 Pages	PowerSchottkyRectifier-10Amp100Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
MBR10100CS	文件：839.5 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-100VForwardCurrent-10A FEATURES ♦Verylowforwardvoltage ♦Highcurrentcapability ♦Highforwardsurgecapability ♦Lowpowerlosses，Highefficiency ♦Guardingforovervoltageprotection ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR10100CS	文件：249.95 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR10100CT	文件：64.379 Kbytes Page：2 Pages	10AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR10100CT	文件：83.24 Kbytes Page：3 Pages	MBR10H100CT,MBRF10H100CT&MBRB10H100CTSeries Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvol	VAISH Vaishali Semiconductor	VAISH
MBR10100CT	文件：222.3 Kbytes Page：1 Pages	10AmpHTPowerSchottkyBarrierRectifier100Voltsto200Volts [LTO-DMSSemiconductorCorporatin] Features HighJunctionTemperatureCapability LowLeakageCurrentandLowForwardVoltageDrop *LowPowerLossandHighEfficiency	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MBR10100CT	文件：78.47 Kbytes Page：3 Pages	DualHigh-VoltageSchottkyRectifiers DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10100CT	文件：73.17 Kbytes Page：2 Pages	10AHIGHVOLTAGESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •SchottkyBarrierChip •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR10100CT	文件：99.53 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers VoltageRange30to200VoltsCurrent10.0Amperes Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory Classifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsur	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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