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MBD101	文件：82.58 Kbytes Page：4 Pages	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES Designed primarily for UHF mixer applications but suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Supplied in an inexpensive plastic package for low−cost, high−volume consumer requirements. Also available in Surface Mount package. Features • Low Noise Figure − 6.0 dB Typ @ 1 文件：82.58 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD101	文件：65.08 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：65.08 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD101	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD101G	文件：96.11 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes Designed primarily for UHF mixer applications but suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Supplied in an inexpensive plastic package for low−cost, high−volume consumer requirements. Also available in Surface Mount package. Features • Low Noise Figure − 6.0 dB Typ @ 1 文件：96.11 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD101_07	文件：65.08 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：65.08 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD101G	文件：65.08 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：65.08 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD101G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Diodes	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD101G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBD101
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）
供应商器件封装：
TO-92
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92

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