MBD101G数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

厂商型号 |
MBD101G |
参数属性 | MBD101G 封装/外壳为TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92 |
功能描述 | Schottky Barrier Diodes |
封装外壳 | TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 11:22:00 |
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MBD101G规格书详情
简介
MBD101G属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MBD101G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号:
MBD101G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
肖特基 - 单
- 电压 - 峰值反向(最大值):
7V
- 不同 Vr、F 时电容:
1pF @ 0V,1MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 封装/外壳:
TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)
- 供应商器件封装:
TO-92
- 描述:
RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
7222 |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
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