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MBR150	文件：144.06 Kbytes Page：2 Pages	LowReverseCurrent Features •LowReverseCurrent •LowStoredCharge.MajorityCarrierConduction •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighlyStableOxidePassivatedJunction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR150E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200Eisavailablein SOD-323HEPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling, andpolarityprotection appl	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR150F	文件：693.88 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highforwardsurgecurrentcapability ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBR150G	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150RL	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150RLG	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150TR	文件：120.8 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR150TR	文件：84.6 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,1A DESCRIPTION TheVS-MBR...axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axiallea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRA150	文件：216.05 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MBRA150	文件：297.509 Kbytes Page：2 Pages	1A50VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
MAZD150
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon planar type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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