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T8514VB	文件：92.82 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofGaAlAsIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TPCP8514	文件：303.55 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType Applications •High-SpeedSwitching •DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=120to240(VCE=2V,IC=0.3A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(max)(IC=1.0A,IB=0.1A) (3)High-speedswitching:tf=170ns(typ.)(IC=1.0A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TS8514VB	文件：86.76 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TS8514VB	文件：87.29 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8514VB-SD-F	文件：87.29 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
MAX8514EEI
功能描述：
DC/DC 开关控制器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入电压：
6 V to 100 V
输出电压：
1.215 V to 80 V
输出电流：
3.5 A
输出端数量：
1
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
CPAK

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