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UPA814	文件：84.02 Kbytes Page：20 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5195FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation,lowphasedistortion •Lownoise:NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuperminimoldpackage. •Built-in2transistors(2×2SC5195)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA814T	文件：327.71 Kbytes Page：12 Pages	SILICONTRANSISTOR MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2´2SC5193)SMALLMINIMOLD FEATURES •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsolu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA814

文件：84.02 Kbytes

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NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5195FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD

FEATURES •Lowvoltageoperation,lowphasedistortion •Lownoise:NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuperminimoldpackage. •Built-in2transistors(2×2SC5195)

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

UPA814T

文件：327.71 Kbytes

Page：12 Pages

SILICONTRANSISTOR

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2´2SC5193)SMALLMINIMOLD FEATURES •LowVoltageOperation,LowPhaseDistortion •LowNoise NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •LargeAbsolu

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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产品属性

产品编号：
MAX814NESA+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
管件
类型：
简单复位/加电复位
电压 - 阈值：
4.55V
输出：
推挽式，推挽式
复位：
高有效/低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC

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