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MJE700	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE700	文件：51.67 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=-1.5and-2.0ADC •ComplementtoMJE800/801/802/803	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE700	文件：252.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN(HIGHDCCURRENTGAIN)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE700	文件：84.77 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE700	文件：245.04 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterBreakdownVoltage— :V(BR)CEO=-60V •DCCurrentGain— :hFE=750(Min)@IC=-1.5A •ComplementtoTypeMJE800 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE700	文件：346.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE700,MJE800seriesdevicesaremediumpowercomplementarysiliconDarlingtontransistorsdesignedforaudioamplifierapplicationsascomplementaryoutputdevices.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE700	文件：81.9 Kbytes Page：2 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE700G	文件：84.77 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE700G	文件：140.21 Kbytes Page：6 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE700T	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MAX700C/D
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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