MJE700G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
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| 厂商型号 |
MJE700G |
| 参数属性 | MJE700G 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 |
| 功能描述 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
140.21 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 16:49:00 |
| 人工找货 | MJE700G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJE700G规格书详情
MJE700G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJE700G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current Gain − hFE
= 2000 (Typ) @ IC
= 2.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to
Limit Leakage − Multiplication
• Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
MJE700G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON进口 |
25+23+ |
TO-126 |
55335 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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TO-126 |
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ON/安森美 |
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TO-225 |
860000 |
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ON |
24+ |
TO-225 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
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TO-225 |
18000 |
原装正品 |
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ON |
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? |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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