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N6003NZ	文件：280.47 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET600V,2A,4.4Ω Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±2.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NCE6003	文件：639.44 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003	文件：503.01 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE6003M	文件：994.89 Kbytes Page：6 Pages	LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE6003M	文件：257.26 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Musesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=60V,ID=3.0A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003X	文件：642.2 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003XM	文件：675.83 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003XY	文件：711.16 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：293.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：503.1 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
MAX6003
制造商：
MAXIM
制造商全称：
Maxim Integrated Products
功能描述：
Low-Cost, Low-Power, Low-Dropout, SOT23-3 Voltage References

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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