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BFG505-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFM505	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFM505	文件：92.89 Kbytes Page：10 Pages	DualNPNwidebandtransistor DESCRIPTION DualtransistorwithtwosiliconNPNRFdiesinasurfacemount,6-pinSOT363(S-mini)package.ThetransistorsareprimarilyintendedforwidebandapplicationsintheGHz-rangeintheRFfrontendofanaloganddigitalcellularphones,cordlessphones,radardetectors,pagersandsat	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR505	文件：120.89 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION TheBFR505isannpnsiliconplanarepitaxialtransistor,intendedforapplicationsintheRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR505	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR505T	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR505T	文件：103.54 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC-75)package. FEATURES •Lowcurrentconsumption •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability •SOT416(SC-75)package. APPLICATIONS Lowpoweramplifiers,oscillat	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS505	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFS505	文件：113.88 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. Itisintendedforlowpoweramplifiers,oscillatorsandmixersparticularlyinRFportablecommunicationequipment(cellularphones,cordlessphones,pagers)upto2GHz. FEATURES •Lowcurrentconsumption •Highpowergain •Lownois	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS505	文件：95.24 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BL505N	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BL505P	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BL505P	文件：1.28801 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BMXFTW505	文件：113.83 Kbytes Page：2 Pages	cordset-40-wayterminal-oneendflyingleads-forX80I/O-5m	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
BP505	文件：247 Kbytes Page：2 Pages	PRESS-FITBOSCHDIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BRD505	文件：44.15 Kbytes Page：2 Pages	DUALOUTPUT,2WATT DESCRIPTION BRDdualoutputDC/DCconvertersofferexcellent regulationandisolationinanindustrystandardDIPpackage.The5VoltinputBRDisidealforindustrialandEDPapplications.TheBRDfeaturesshortcircuitprotectionand500VDCisolation.PleaseseetheBRSseriesforsingleoutp	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
BRS505	文件：118.76 Kbytes Page：2 Pages	BRSDC/DCconverters(1.5WATT) DESCRIPTION BRSDC/DCconvertersofferexcellentregulationandisolationinanindustrystandardDIPpackage.The5VoltinputBRSisidealforindustrialandEDPapplications.TheBRSfeaturesshortcircuitprotectionand500VDCisolation.PleaseseetheBRDseriesfordualoutputapplications	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
BRUS505	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi edi	edi
BS-A505RD	文件：162.59 Kbytes Page：3 Pages	12.70mm(0.50)highsingledigitsevensegmentsdisplay.	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BS-A505RE	文件：150.01 Kbytes Page：3 Pages	12.70(0.50)highsingledigitsevensegmentsdisplay	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT

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产品属性

产品编号：
MAX505ACWG
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
卷带（TR）
位数：
8
数模转换器数：
4
建立时间：
6µs（标准）
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
并联
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
±5V
电压 - 供电，数字：
5V
INL/DNL (LSB)：
-，±1（最大）
架构：
R-2R
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
24-SOIC
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC DAC 8BIT V-OUT 24SOIC

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