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MAX5062BASA+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX5062CASA	文件：471.62 Kbytes Page：19 Pages	125V/2A,High-Speed,Half-BridgeMOSFETDrivers GeneralDescription TheMAX5062/MAX5063/MAX5064high-frequency,125Vhalf-bridge,n-channelMOSFETdriversdrivehighandlow-sideMOSFETsinhigh-voltageapplications. Features ♦HIP2100/HIP2101PinCompatible(MAX5062A/MAX5063A) ♦Upto125VInputOperation ♦8Vto12.6VVDDInputVoltageR	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5062CASA	文件：351.73 Kbytes Page：20 Pages	125V/2A,High-Speed,Half-BridgeMOSFETDrivers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5062DASA	文件：351.73 Kbytes Page：20 Pages	125V/2A,High-Speed,Half-BridgeMOSFETDrivers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5062DASA	文件：471.62 Kbytes Page：19 Pages	125V/2A,High-Speed,Half-BridgeMOSFETDrivers GeneralDescription TheMAX5062/MAX5063/MAX5064high-frequency,125Vhalf-bridge,n-channelMOSFETdriversdrivehighandlow-sideMOSFETsinhigh-voltageapplications. Features ♦HIP2100/HIP2101PinCompatible(MAX5062A/MAX5063A) ♦Upto125VInputOperation ♦8Vto12.6VVDDInputVoltageR	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAZ5062	文件：56.26 Kbytes Page：3 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Minipowertypepackage(2-pin) •Allowingautomaticmountingwiththeembosstaping •Sharprisingperformance	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MMBS5062	文件：40.68 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIERS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMM5062	文件：1.03447 Mbytes Page：22 Pages	Quad-BandGSMGPRS3.5VPowerAmplifier	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MSK5062HRH	文件：1.02289 Mbytes Page：13 Pages	RADHARD6ASWITCHINGREGULATOR	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
MSK5062HRHG	文件：1.02289 Mbytes Page：13 Pages	RADHARD6ASWITCHINGREGULATOR	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN

产品属性

产品编号：
MAX5062BASA+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 12.6V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
65ns，65ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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