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MAX5063BASA+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MMM5063	文件：578.5 Kbytes Page：20 Pages	Tri-BandGSMGPRS3.5VPowerAmplifier	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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NTE5063A	文件：52.32 Kbytes Page：4 Pages	NTE5061AthruNTE5105AZenerDiode,1Watt5Tolerance Features: •ZenerVoltage110Vto200V •LowCost •LowZenerImpedance •ExcellentClamping •EasilyCleanedwithFreon,Alcohol,Chlorothene,andSimilarSolvents	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5063A	文件：30.78 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode,1Watt짹5Tolerance Features: •ZenerVoltage110Vto200V •LowCost •LowZenerImpedance •ExcellentClamping •EasilyCleanedwithFreon,Alcohol,Chlorothene,andSimilarSolvents	NTE NTE Electronics	NTE

产品属性

产品编号：
MAX5063BASA+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 12.6V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
65ns，65ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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