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BFM505中文资料PDF规格书

BFM505
厂商型号

BFM505

参数属性

BFM505 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP

功能描述

Dual NPN wideband transistor

文件大小

92.89 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ROYAL PHILIPS
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 17:27:00

BFM505规格书详情

DESCRIPTION

Dual transistor with two silicon NPN RF dies in a surface mount, 6-pin SOT363 (S-mini) package. The transistors are primarily intended for wideband applications in the GHz-range in the RF front end of analog and digital cellular phones, cordless phones, radar detectors, pagers and satellite TV-tuners.

FEATURES

• Small size

• Temperature and hFE matched

• Low noise and high gain

• High gain at low current and low capacitance at low voltage

• Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

• Oscillator and buffer amplifiers

• Balanced amplifiers

• LNA/mixer.

产品属性

  • 产品编号:

    BFM505,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    8V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,6V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    18mA

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-TSSOP

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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