7.6A, 12ns, SOT23/TDFN, MOSFET Driver

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7.6A, 12ns, SOT23/TDFN, MOSFET Driver

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7A Sink/3A Source Current

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7A Sink/3A Source Current

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7.6A、12ns、SOT23/TDFN封装、MOSFET驱动器

MAX5048A/MAX5048B为高速MOSFET驱动器，可以提供7.6A/1.3A的吸收/灌出峰值电流。这些器件接受逻辑输入信号，可驱动一个大型外部MOSFET。MAX5048A/MAX5048B具有反相和同相输入，给用户更大的灵活性来控制MOSFET。它们提供两路独立的互补模式，以便设计者灵活地控制导通和关断速度。\n MAX5048A/MAX5048B的内部逻辑能够防止输出状态变化期间的直通状态。逻辑输入能够承受高达+14V的瞬态电压，而与V+电压无关。同相和反相输入间的传输延迟时间已被匹配并减至最小。MAX5048A/MAX5048B具有非常短的开关时间和传输延迟(典型12ns)，非 \n• 独立的灌出和吸收输出，便于控制上升和下降时间 \n• +4V至+12.6V单电源 \n• 7.6A/1.3A峰值吸收/灌出驱动电流 \n• 0.23Ω开漏n沟吸收输出 \n• 2Ω开漏p沟灌出输出 \n• 12ns (典型)传输延迟 \n• 匹配的同相和反相传输延迟 \n• VCC/2 CMOS (MAX5048A)/TTL (MAX5048B)逻辑输入 \n• 1.6V输入滞回 \n• 最高+14V逻辑输入(与V+电压无关) \n• 低输入电容：2.5pF (典型) \n• -40°C至+125°C工作温度范围 \n• 6引脚SOT23和TDFN封装;

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7A吸电流/3A灌出电流、8ns、SOT23、MOSFET驱动器

MAX5048C为高速MOSFET驱动器，可以提供7A/3A的吸收/灌出峰值电流。这些器件接受逻辑输入信号，可驱动大功率外部MOSFET。器件具有反相和同相输入，给用户更大的灵活性来控制MOSFET。器件还提供必要的功能，用于驱动低边增强型氮化镓(GaN) FET。他们提供两路独立的互补模式，以便设计者灵活地控制导通和关断速度。器件内部逻辑电路能够防止输出状态变化期间的直通。逻辑输入能够承受高达+14V的瞬态电压，而与V+电压无关。同相和反相输入间的传输延迟时间已被匹配并减至最小。器件具有非常短的开关时间和传输延迟(典型8ns)，非常适合于高频电路。器件工作在+4V至+14V单电源输入，典型消 • 独立的灌出/吸收输出，便于控制上升和下降时间 \n• +4V至+14V单电源 \n• 7A/3A峰值吸收/灌出驱动电流 \n• 0.3Ω开漏n沟吸收输出 \n• 0.84Ω开漏p沟灌出输出 \n• 传输延迟低至8ns \n• 匹配的同相和反相传输延迟 \n• 带有滞回的TTL逻辑电平输入，提高噪声抑制\n• 输入额定电压为+14V，与V+电压无关\n• 低输入电容：10pF (典型) \n• 1nF负载下，具有5ns典型上升时间和4ns典型下降时间 \n• 热关断保护\n• 6引脚SOT23封装 \n• -40°C至+125°C温度范围 \n• 引脚兼容于MAX5048B;

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Package：6-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 6TDFN

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Package：SOT-23-6；包装：散装 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

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Package：SOT-23-6；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

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