过压保护控制器，采用外部pFET

MAX4923–MAX4926过压保护(OVP)控制器使用适当的外部pFET可在高达+28V的高压故障条件下为低压系统提供保护。当输入电压超过过压锁定(OVLO)门限，或跌落至低于欠压锁定(UVLO)门限时，器件关断外部pFET使受保护元件免受损害，并输出标志通知处理器出现故障状态。\n\n 典型过压门限设定为7.18V (MAX4923)、6.16V (MAX4924)、5.65V (MAX4925)和4.46V (MAX4926)。所有器件的欠压门限均设定为2.44V (典型值)。\n\n 当输入端(IN)使用1µF电容旁路至地时，可提供±15k HBM ESD保护。所 • 高达+28V的过压保护\n• 预设7.18V、6.16V、5.65V和4.46V过压门限电平\n• 预设2.44V典型欠压门限电平\n• ±2.5%精度的过压/欠压门限电平\n• 低电源电流13µA (典型值)\n• 驱动外部pFET\n• 20ms适配器防抖时间\n• 故障标志指示器\n• 6引脚(1.5mm x 1.0mm) µDFN封装;

ADI

亚德诺

Overvoltage Protectors with External pFET

General Description The MAX4923–MAX4926 overvoltage protection (OVP) controllers protect low-voltage systems against high-voltage faults of up to +28V with an appropriate external pFET. When the input voltage exceeds the overvoltage lockout (OVLO) threshold, or falls below the undervoltage lockou

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MAXIM

美信

Package：6-WFDFN；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 专用 IC 描述：IC OVERVOLTAGE PROT CTRL 6UDFN

AD

亚德诺

P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件：1.00454 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET 30 V, 48 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件：114.25 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

文件：118.41 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体