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MMBD355	文件：237.46 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes Features Verylowcapacitance—Lessthan1.0pF@zeroV. Lowforwardvoltage—IF=10mA. PowerdissipationPd=300mW Pb/RoHSFree Applications DesignedprimarilyforUHFmixerapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD355	文件：53.32 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowForwardVoltage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBD355W	文件：89.41 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MP355	文件：198.17 Kbytes Page：2 Pages	PRESS-FITMOTOLOLADIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
MX355L	文件：440.88 Kbytes Page：9 Pages	CTCSSENCODER/DECODER	CMLMICRO CML Microcircuits	CMLMICRO
NDS355	文件：60.76 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOT™-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularl	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS355	文件：74.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS355AN	文件：60.76 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SuperSOT™-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularl	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS355AN	文件：445.36 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS355AN-NL	文件：475.48 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
MAX355CWE+T
功能描述：
多路器开关 IC
4：
1 2Ch Fault-Prtct Analog MUX
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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