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NCE3008N	文件：338.9 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3008Nusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=30V,ID=8A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3008XM	文件：636.1 Kbytes Page：8 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3008XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=8A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3008Y	文件：313.36 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3008Yusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=30V,ID=8A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NX3008CBKS	文件：2.33569 Mbytes Page：21 Pages	30/30V,350/200mAN/P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008CBKV	文件：1.48763 Mbytes Page：21 Pages	30/30V400/220mAN/P-channelTrenchMOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX3008CBKV	文件：310.2 Kbytes Page：20 Pages	30/30V,400/220mAN/P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmall andflatleadSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •Trench	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBK	文件：1.60829 Mbytes Page：16 Pages	30V,400mAN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKMB	文件：1.055 Mbytes Page：15 Pages	30V,singleN-channelTrenchMOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX3008NBKMB	文件：259.43 Kbytes Page：14 Pages	30V,singleN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3 (SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKMB	文件：1.78151 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Application +Load/PowerSwitching +InterfacingSwitching +BatteryManagementforUltraSmallPortable Electronics +LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
MAX3008EBP-T
功能描述：
转换 - 电压电平
RoHS：
否
制造商：
Micrel
类型：
CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL
传播延迟时间：
1.9 ns
电源电流：
14 mA
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
3 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
MLF-8

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