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UL1980	文件：143.54 Kbytes Page：2 Pages	OBUDOWSCE81	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
UL1980N	文件：143.54 Kbytes Page：2 Pages	OBUDOWSCE81	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
UPA1980	文件：79.94 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitableforapplicationss	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1980	文件：215.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE DESCRIPTION TheμPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalow on-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitablefor applicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1980TE	文件：573.56 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1980TE	文件：215.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETWITHSCHOTTKYBARRIERDIODE DESCRIPTION TheμPA1980isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. ThisdeviceincorporatesaMOSFET,whichfeaturesalow on-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, andalowleakageSchottkybarrierdiode,andissuitablefor applicatio	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
MAX1980EGP
功能描述：
DC/DC 开关控制器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入电压：
6 V to 100 V
输出电压：
1.215 V to 80 V
输出电流：
3.5 A
输出端数量：
1
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
CPAK

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