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厂商型号

UPA1980TE

功能描述

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

文件大小

79.94 Kbytes

页面数量

8 页

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2026-10-1 17:00:00

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UPA1980TE规格书详情

DESCRIPTION

The µ PA1980 is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source.

This device incorporates a MOS FET, which features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and a low leakage Schottky barrier diode, and is suitable for applications such as DC/DC converter of portable machine and so on.

FEATURES

• 1.8 V drive available (MOS FET)

• Low on-state resistance (MOS FET)

RDS(on)1 = 135 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −1.0 A)

RDS(on)2 = 183 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −1.0 A)

RDS(on)3 = 284 mΩ MAX. (VGS = −1.8 V, ID = −0.5 A)

• Low reverse current (Schottky barrier diode)

IR = 20 µA MAX. (VR = 40 V)

产品属性

  • 型号:

    UPA1980TE

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
21+
2016PB
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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NEC
24+
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RENESAS/瑞萨
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