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UPA1952TE中文资料PDF规格书

UPA1952TE
厂商型号

UPA1952TE

功能描述

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

文件大小

71.89 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 22:30:00

UPA1952TE规格书详情

DESCRIPTION

The µ PA1952 is a switching device, which can be driven directly by a 1.8 V power source.

The device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• 1.8 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 135 mΩ MAX. (VGS = −4.5V, ID = −1.0 A)

RDS(on)2 = 183 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −1.0 A)

RDS(on)3 = 284 mΩ MAX. (VGS = −1.8 V, ID = −0.5 A)

产品属性

  • 型号:

    UPA1952TE

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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