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MBR150	文件：135.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR150	文件：109.14 Kbytes Page：2 Pages	1.0AAxialLeadedSchottkyBarrierRectifierDiodes Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR150	文件：203.21 Kbytes Page：3 Pages	1ASCHOTTKYRECTIFIER 1ASCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR150	文件：144.06 Kbytes Page：2 Pages	LowReverseCurrent Features •LowReverseCurrent •LowStoredCharge.MajorityCarrierConduction •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighlyStableOxidePassivatedJunction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR150E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200Eisavailablein SOD-323HEPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling, andpolarityprotection appl	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR150F	文件：693.88 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highforwardsurgecurrentcapability ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBR150G	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150RL	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150RLG	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150TR	文件：120.8 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
MAX150BEWP+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
8
采样率（每秒）：
500k
输入数：
1
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
闪存
参考类型：
外部，内部
电压 - 供电，模拟：
5V
电压 - 供电，数字：
5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
20-SOIC
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 8BIT FLASH 20SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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