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MBR150	文件：120.8 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR150	文件：135.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR150	文件：109.14 Kbytes Page：2 Pages	1.0AAxialLeadedSchottkyBarrierRectifierDiodes Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR150	文件：203.21 Kbytes Page：3 Pages	1ASCHOTTKYRECTIFIER 1ASCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR150	文件：144.06 Kbytes Page：2 Pages	LowReverseCurrent Features •LowReverseCurrent •LowStoredCharge.MajorityCarrierConduction •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighlyStableOxidePassivatedJunction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MBR150E	文件：484.28 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION The MBR120E~MBR1200Eisavailablein SOD-323HEPackage FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V 0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters, freewheeling, andpolarityprotection appl	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR150F	文件：693.88 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highforwardsurgecurrentcapability ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBR150G	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150RL	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR150RLG	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MAX150BCWP-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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