125V/3A, High-Speed, Half-Bridge MOSFET Drivers

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125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器

MAX15018A/MAX15018B/MAX15019A/MAX15019B是高频、125V半桥、n沟道MOSFET驱动器，在高压应用中驱动高边和低边MOSFET。这些驱动器可以独立控制，输入到输出的传输延时为35ns (典型值)，匹配在2ns (典型值)以内。器件在高压下工作，驱动器之间具有极低的传输延时，并保持较好的匹配性；增强散热型封装可以源出或吸取较大电流。这些特性使其非常适合大功率、高频、电信电源转换器应用。输入电压最大值为125V，为电信设备标准的100V输入瞬态电压要求提供了充分的裕量。可靠的片上自举二极管连接在VDD与BST之间，省去了外部分立二极管。\n\n MA • 与HIP2100IB/HIP2101IB引脚兼容(MAX15018A/MAX15019A)\n• 8V至12.6V VDD输入电压范围\n• 传输延迟为35ns\n• 提供同相/同相与同相/反相逻辑输入的组合\n• 8pF低输入电容\n• 采用节省空间的增强散热型8引脚SO-EP封装;

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MAX15018A/MAX15018B/MAX15019A/MAX15019B是高频、125V半桥、n沟道MOSFET驱动器，在高压应用中驱动高边和低边MOSFET。这些驱动器可以独立控制，输入到输出的传输延时为35ns (典型值)，匹配在2ns (典型值)以内。器件在高压下工作，驱动器之间具有极低的传输延时，并保持较好的匹配性；增强散热型封装可以源出或吸取较大电流。这些特性使其非常适合大功率、高频、电信电源转换器应用。输入电压最大值为125V，为电信设备标准的100V输入瞬态电压要求提供了充分的裕量。可靠的片上自举二极管连接在VDD与BST之间，省去了外部分立二极管。\n MAX15018A \n• VIN高达125V \n• 可源出和吸取3A峰值电流 \n• 确保高、低边驱动器之间保持8ns以内的传输延时匹配度 \n• 最大15V的逻辑输入，与VDD电源电压无关 \n• 提供带滞回的CMOS (VDD/2)或TTL逻辑电平输入 \n• 采用节省空间的增强散热型8引脚SO-EP封装;

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125V/3A, High-Speed, Half-Bridge, MOSFET Driver

MAX15018A/MAX15018B/MAX15019A/MAX15019B是高频、125V半桥、n沟道MOSFET驱动器，在高压应用中驱动高边和低边MOSFET。这些驱动器可以独立控制，输入到输出的传输延时为35ns (典型值)，匹配在2ns (典型值)以内。器件在高压下工作，驱动器之间具有极低的传输延时，并保持较好的匹配性；增强散热型封装可以源出或吸取较大电流。这些特性使其非常适合大功率、高频、电信电源转换器应用。输入电压最大值为125V，为电信设备标准的100V输入瞬态电压要求提供了充分的裕量。可靠的片上自举二极管连接在VDD与BST之间，省去了外部分立二极管。\n MAX15018A \n• VIN高达125V \n• 可源出和吸取3A峰值电流 \n• 确保高、低边驱动器之间保持8ns以内的传输延时匹配度 \n• 最大15V的逻辑输入，与VDD电源电压无关 \n• 提供带滞回的CMOS (VDD/2)或TTL逻辑电平输入 \n• 采用节省空间的增强散热型8引脚SO-EP封装;

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC MOSF DRVR HALF BRDG HS 8-SOIC

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