175V/2A, High-Speed, Half-Bridge MOSFET Drivers

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175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器

MAX15012/MAX15013是高频、175V半桥、n沟道MOSFET驱动器，在高压应用中驱动高侧和低侧MOSFET。这些驱动器可以独立控制，输入到输出的传输延时典型值为35ns，匹配在2ns (典型值)以内。这些高压工作器件具备极低的传输延时和较高的源出或吸入电流能力，非常适合大功率、高频、电信电源转换器。在VDD与BST之间具有可靠的自举二极管连接，省去了外部分立二极管。\n\n MAX150MAX15012A/C和MAX15013A/C都提供两路同相驱动器(见完整数据资料的选型指南)；MAX15012B/D和MAX15013B/D提供一个同相、高端驱动器和一个反相、低端驱动 • HIP2100/HIP2101引脚兼容(MAX15012A/C和MAX15013A/C)\n• 高达175V的输入电压\n• 8V至12.6V VDD输入电压范围\n• 可源出或吸入2A峰值电流\n• 35ns典型传输延时\n• 器件间保证8ns传输延时匹配\n• 高达500kHz开关频率\n• 采用CMOS (VDD/2)或TTL逻辑输入，带滞回\n• 逻辑输入电压高达14V，与输入电源无关\n• 输入电容低至2.5pF\n• 电源电流低至70µA\n• 提供同相与反相驱动组合(MAX15012B/D和MAX15013B/D)\n• 提供工业标准的8引脚SO和热增强型SO封装;

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MAX15012/MAX15013是高频、175V半桥、n沟道MOSFET驱动器，在高压应用中驱动高侧和低侧MOSFET。这些驱动器可以独立控制，输入到输出的传输延时典型值为35ns，匹配在2ns (典型值)以内。这些高压工作器件具备极低的传输延时和较高的源出或吸入电流能力，非常适合大功率、高频、电信电源转换器。在VDD与BST之间具有可靠的自举二极管连接，省去了外部分立二极管。\nMAX150MAX15012A/C和MAX15013A/C都提供两路同相驱动器(见完整数据资料的选型指南)；MAX15012B/D和MAX15013B/D提供一个同相、高端驱动器和一个反相、低端驱动器；MAX150 ·HIP2100/HIP2101引脚兼容(MAX15012A/C和MAX15013A/C)\n·高达175V的输入电压\n·8V至12.6V VDD输入电压范围\n·可源出或吸入2A峰值电流\n·35ns典型传输延时\n·器件间保证8ns传输延时匹配\n·高达500kHz开关频率\n·采用CMOS (VDD/2)或TTL逻辑输入，带滞回\n·逻辑输入电压高达14V，与输入电源无关\n·输入电容低至2.5pF\n·电源电流低至70µA\n·提供同相与反相驱动组合(MAX15012B/D和MAX15013B/D)\n·提供工业标准的8引脚SO和热增强型SO封装;

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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