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MAX11015BGTM	文件：945.83 Kbytes Page：69 Pages	Automatic RF MESFET Amplifier Drain-Current Controllers GeneralDescription TheMAX11014/MAX11015setandcontrolbiasconditionsfordualMESFETpowerdevicesfoundinpoint-topointcommunicationandothermicrowavebasestations.TheMAX11014integratescompletedualanalogclosed-loopdrain-currentcontrollersforClassAMESFETamplifieroperation	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX11015BGTM+	文件：657.89 Kbytes Page：70 Pages	Automatic RF MESFET Amplifier Drain-Current Controllers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MIL-C-11015	文件：533.07 Kbytes Page：5 Pages	MultilayerCeramicCapacitors CKandCKRMilitaryGradeCapacitors MIL-C-11015&39014-CKandCKR-militarygradecapacitorsareavailableasradialandaxialleaded capacitorswiththeoptionofhotsolderdippedleadsontheCKRs. Highlights Availableontapeandreel Moldedcaseconstruction	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
MJ11015	文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ11015	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor •JunctionTemperatureto+200°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ11015	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC−20Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBaseEmitterShuntResistor •JunctionTemperatureto+200C	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ11015	文件：140.07 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighGainDarlingtonPerformance •HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A •MonolithicConstructionwithBuilt−inBaseEmitterShun	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ11015	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJ11015	文件：21.71 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS) PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTOR SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
MJ11015	文件：53.44 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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