MASTERGAN3数据手册集成电路（IC）的全半桥驱动器规格书PDF

描述 Description

MASTERGAN3是一款先进的系统级功率封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN功率晶体管。

集成的功率氮化镓具有650 V耐压和RDS(ON) 为225毫欧的下管以及导通阻抗为450 mΩ的上管，同时上管的驱动电压可以方便的通过内置的自举二极管提供。

MASTERGAN3在上下管都有驱动欠压保护功能，避免由于驱动不足导致效率低的危险工况。 驱动输入逻辑信号具有互锁功能，避免上下管共通。

输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

MASTERGAN3的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

特性 Features

• 600 V系统级封装集成了半桥驱动和高压氮化镓开关管的非对称设计
•QFN 9 x 9 x 1 mm 封装
•RDS(ON) = 225 mΩ（低边）+ 450 mΩ（高边）
•IDS(MAX) = 6.5 A（低边） + 4 A（高边）
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 低边和高边UVLO保护
• 集成自举二极管
• 互锁功能
• 关闭功能专用引脚
• 准确的内部定时匹配
• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
• 过热保护
• 减少物料单
• 非常紧凑且简便的布局
• 灵活快捷的设计。

简介

MASTERGAN3属于集成电路（IC）的全半桥驱动器。由制造生产的MASTERGAN3全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列，包含两个或多个功率晶体管，以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接（称为半桥），因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件（如微控制器）提供的低电平信号转换为操作执行器（如步进电机或无刷电机）所需的较大功率信号。