高功率密度600 V半桥驱动器，配两个增强模式GaN HEMT

MASTERGAN3是一款先进的系统级功率封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN功率晶体管。\n\n 集成的功率氮化镓具有650 V耐压和RDS(ON) 为225毫欧的下管以及导通阻抗为450 mΩ的上管，同时上管的驱动电压可以方便的通过内置的自举二极管提供。\n\n MASTERGAN3在上下管都有驱动欠压保护功能，避免由于驱动不足导致效率低的危险工况。 驱动输入逻辑信号具有互锁功能，避免上下管共通。\n\n 输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。\n\n MASTERGAN3的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑 • 600 V系统级封装集成了半桥驱动和高压氮化镓开关管的非对称设计 \n •QFN 9 x 9 x 1 mm 封装 \n •RDS(ON) = 225 mΩ（低边）+ 450 mΩ（高边） \n •IDS(MAX) = 6.5 A（低边） + 4 A（高边） \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• 低边和高边UVLO保护 \n• 集成自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 过热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。;

ST

意法半导体

Package：31-VQFN 裸露焊盘；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：HIGH POWER DENSITY 600 V HALF BR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SMD

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