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RA0009	文件：58.37 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEBRIDGE	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RF0009D	文件：213.77 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RFXF0009	文件：296.04 Kbytes Page：4 Pages	45MHzto1200MHzOperation	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RFXF0009	文件：681.36 Kbytes Page：8 Pages	45-1218MHzGaAs/GaNPowerDoublerModule	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009H	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009HSB	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009HSQ	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RFXF0009HSR	文件：581.54 Kbytes Page：5 Pages	1:1SMTTransformer45MHzto1200MHz	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RP0009	文件：202.44 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RQA0009SXAQS	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQA0009SXTL	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQA0009SXTL-E	文件：200.65 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQA0009TXDQS	文件：199.29 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features •HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting •ElectrostaticDischargeImmunityTest (IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQA0009TXTL-E	文件：199.29 Kbytes Page：13 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET Features •HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting •ElectrostaticDischargeImmunityTest (IECStandard,61000-4-2,Level4)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RS0009	文件：209.84 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
RU0009D	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SF-Z0009	文件：44.35 Kbytes Page：2 Pages	Crimpingpliers	PhoenixPhoenix Contact 菲尼克斯电气德国菲尼克斯电气集团	Phoenix
TL0009A	文件：225.72 Kbytes Page：7 Pages	LTCCFilter2450MHzSMD2.0x1.25mm(100MHzBW)	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TM0009A	文件：7.43326 Mbytes Page：8 Pages	YourBestPartnerForFrequencyDevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TR0009	文件：109.94 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRANSISTOR	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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详细参数

型号：
MAPDCC0009-TR
功能描述：
电源开关 IC - 配电 824-960MHz
IL：
.07dB
VSWR：
1.4 -40C to 85C
RoHS：
否
制造商：
Exar
输出端数量：
1
开启电阻（最大值）：
85 mOhms
开启时间（最大值）：
400 us
关闭时间（最大值）：
20 us
工作电源电压：
3.2 V to 6.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-5

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更多MAPDCC0009-TR供应商更新时间2024-9-21 10:02:00

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