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MAP200N10P_MAP200N10T

N-Channel MOSFETs

Maximum

Maximum

技术参数

  • VDSS:

    100 V 

  • ID:

    200 A 

  • Rdson_max:

    5.5 mΩ 

  • Qg:

    108 nC 

  • Mounting:

    SMT THT 

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