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MJD122	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122	文件：232.98 Kbytes Page：9 Pages	LowvoltagepowerDarlingtontransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJD122	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features •D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •ComplementtoMJD127	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122	文件：81.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MJD122	文件：137.52 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Features •D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •ComplementtoMJD127	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD122	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) •LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) •Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJD122	文件：457.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistor FEATURES •HighDCCurrentGain •ElectricallySimilartoPopularTIP122 •Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD122	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122	文件：277.83 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •MoistureSensitivityLevel1 •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixDesignatesRoHS Compliant.SeeOrderingInfor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MJD122	文件：244.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
MJD122	文件：683.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS Features: HighDCcurrentgain ElectricallysimilartopopularTIP122 *Built-inadamperdiodeatE-C	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MJD122	文件：246.92 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Leadformedforsurfacemountapplications ·HighDCcurrentgain ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifierandlo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD122	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD122	文件：211.88 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications PowerLinearandSwitchingApplications	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD122	文件：315.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD122	文件：408.73 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
MJD122	文件：1.15875 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR（NPN） FEATURES ∙HighDCCurrentGain ∙ElectricallySimilartoPopularTIP122 ∙Built-inaDamperDiodeatE-C	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MJD122	文件：2.2067 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR（NPN） Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP122 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MJD122	文件：205.51 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications PowerLinearandSwitchingApplications	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD122	文件：337.92 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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详细参数

型号：
MA122
功能描述：
电源线滤波器 Filter 250V 20A
RoHS：
否
制造商：
EPCOS
电压额定值：
277 VAC
电流额定值：
100 A
安装风格：
Chassis
端接类型：
Screw

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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