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MJD122分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

MJD122

厂商型号	MJD122
参数属性	MJD122 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
功能描述	Complementary Darlington Power Transistor TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
封装外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
文件大小	136.31 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识	ONSEMI
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 8:46:00
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MJD122规格书详情

MJD122属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJD122晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

产品属性

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产品编号：
MJD122-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

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