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MA10EA06

分立式半导体 肖特基势垒二极管(SBD)

Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making

Kyocera

京瓷

MA2485

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

MA2S077

SOD-523

Panasonic

松下

上传:深圳市宏誉半导体有限公司

MA2YD26

SOD123

MA3243C

TSSOP28

技术参数

  • Outline:

    DO-221BC

  • VRRM [V]:

    60V

  • Io [A]:

    10.0A

  • IFSM [A]:

    200.0A

  • IR [mA]:

    0.600mA

  • VFM [V]:

    0.56V

  • @IFM [A]:

    10.0A

  • 工作温度范围:

    -55℃ ~ 150℃

  • Rth(j-c) [°C/W]:

    4 (j-l)°C/W

  • 包装形式:

    Reel

  • 每包数量:

    3000

  • 质量:

    0.037g

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更多MA10EA06供应商 更新时间2025-12-19 10:35:00