512Mbit (4 Banks x 8M x 16), 133 MHz Clock Rate, Bare Die, 1.8 V Supply, Low Power SDRAM

文件：502.2 Kbytes 页数：55 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

512Mbit (4 Banks x 8M x 16), 133 MHz Clock Rate, Bare Die, 1.8 V Supply, Low Power SDRAM

文件：502.2 Kbytes 页数：55 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

256Mbit (4 Banks x 4M x 16) 1.8V Supply, 133MHz Clock Rate, DDR Low Power SDRAM

文件：506.58 Kbytes 页数：51 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

256Mbit (4 Banks x 4M x 16) 1.8V Supply, 133MHz Clock Rate, DDR Low Power SDRAM

文件：506.58 Kbytes 页数：51 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

文件：482.69 Kbytes 页数：54 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

文件：482.69 Kbytes 页数：54 Pages

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意法半导体

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

文件：482.69 Kbytes 页数：54 Pages

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意法半导体

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

文件：482.69 Kbytes 页数：54 Pages

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意法半导体

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

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意法半导体

10W内置BJT初级反馈CV/CC 电源转换芯片

M6512/3 是一款工作在准谐振模式恒流恒压原边控制高性能功率开关转换器，可提供高精度恒压和恒流输出性能，适合于小功率充电器应用。M6512/3 采用多模式工作方式，在恒压输出模式中，调幅控制和调频控制相结合，有效的提高了系统的效率和可靠性。在恒流输出模式中，芯片采用调频控制方式。M6512/3 特有的无异音控制电路，兼具了异音和优异的动态性能。M6512/3 内置线电压和负载电压的恒流补偿，利用集成的线损补偿功能，可获得高性能的恒压输出表现。M6512/3 内置多种保护功能：VCC 欠压保护、VCC 过压保护、逐周期限流保护、短路保护、管脚悬空保护、过热保护和 VCC箝位等。保证电源转换器 • 内置功率三极管，BVCBO > 800V\n• 恒流、恒压精度小于±4%\n• 多模式原边控制方式\n• 可调式线损补偿功能\n• 完备的保护功能 SLP，OCP，LEB，OTP，VCC过压、欠压和箝位保护\n• SOP-8封装;

MOLESEMI

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