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M6162

快速关断智能同步整流器

M6162/3 是一款应用于反激式开关电源系统的同步整流器。内部集成超低导通阻抗N 沟道的MOSFET 以及一个同步整流的驱动及控制电路,用于替代传统反激式开关电源系统中的肖特基二极管,能有效的减少次级整流管的导通损耗,降低系统温度,增大输出电流能力,以提高系统效率和增大功率密度。M6162/3设计在非连续开关模式(DCM)下工作,内部集成的高性能N沟道MOSFET 具有低开启阀值电压、超低导通阻抗,超快速开关特性。M6162/3内部电路通过检测MOSFET的VDS之间的电压变化产生一个理想的驱动信号来控制内部MOSFET 的导通与截止。非常适合要求尺寸更小,转换效率求更高的产品。M6162/ • 可以满足12V输出应用\n• 内置智能假负载,无需外部假负载电阻\n• 具有低至 20nS 的功率管快速关断能力\n• VCC欠压保护\n• SOP8封装;

MOLESEMI

摩尔芯海

M61621GFCN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

文件:809.01 Kbytes 页数:7 Pages

MTRONPTI

M61621GFSN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

M61621GTCN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

M61621GTSN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

M61621HFCN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

M61621HFSN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

文件:809.01 Kbytes 页数:7 Pages

MTRONPTI

M61621HTCN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

M61621HTSN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

M61621JFCN

5 x 7 mm, 3.0, 3.3 & 5.0 Volt, HCMOS or Clipped Sinewave, Precision TCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

技术参数

  • 击穿电压(V):

    60

  • RDS(ON)Typ (mΩ):

    22

  • 输出电压(V):

    5~12

  • 输出电流(A):

    1.0

  • 假负载电流(mA):

    2.5

  • 支持工作模式:

    DCM

  • 封装规格:

    SOP8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多M6162供应商 更新时间2026-1-18 9:16:00