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M58WR128ET10ZB6T

128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

SUMMARY DESCRIPTION The M58WR128E is a 128 Mbit (8Mbit x16) nonvolatile Flash memory that may be erased electrically at block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis using a 1.65V to 2.2V VDD supply for the circuitry and a 1.65V to 3.3V VDDQ supply for the Input/Output pins. An opt

文件:1.11396 Mbytes 页数:87 Pages

STMICROELECTRONICS

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详细参数

  • 型号:

    M58WR128ET10ZB6T

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

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更多M58WR128ET10ZB6T供应商 更新时间2025-10-5 11:00:00