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M59DR016C100ZB6T	文件：240.77 Kbytes Page：37 Pages	16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory DESCRIPTION TheM59DR016isa16Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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M59DR016C100ZB6T

文件：240.77 Kbytes

Page：37 Pages

16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory

DESCRIPTION TheM59DR016isa16Mbitnon-volatileFlashmemorythatmaybeerasedelectricallyatblocklevelandprogrammedin-systemonaWord-by-Wordbasisusinga1.65Vto2.2VVDDsupplyforthecircuitry.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
M59DR016C100ZB6T
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory

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更多M59DR016C100ZB6T供应商更新时间2024-5-10 11:30:00

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