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|---|---|---|---|---|
M59DR016D100ZB6T | 16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory DESCRIPTION The M59DR016 is a 16 Mbit non-volatile Flash memory that may be erased electrically at block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis using a 1.65V to 2.2V VDD supply for the circuitry. For Program and Erase operations the necessary high voltages are generated internally 文件：240.77 Kbytes 页数：37 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
MIT | MIT 上传：深圳市景鹏达电子有限公司 | MIT | ||
RENESAS | RENESAS | |||
RENESAS | RENESAS |
详细参数
- 型号：
M59DR016D100ZB6T
- 制造商：
STMICROELECTRONICS
- 制造商全称：
STMicroelectronics
- 功能描述：
16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
BGA |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
24+ |
BGA |
3000 |
公司存货 |
询价 | |||
ST |
25+ |
BGA |
4500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ST |
2138+ |
BGA |
8960 |
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
ST |
25+ |
BGA |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
BGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
BGA |
6540 |
原装现货或订发货1-2周 |
询价 | ||
ST |
24+ |
BGA |
7748 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
N/A |
22+ |
8681 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
NA |
25+ |
NA |
27 |
全新原装正品支持含税 |
询价 |
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更新时间2025-10-4 16:18:00
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- RGH1608-2C-P-101-B
- XC6124A243ER-G
- XC6124A246MG-G
- XC6124A250MG-G
- XC6124A333ER-G
- XC6124A334MR-G
- RGP10G
- RGP10G/23
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- XC6501A151GR-G
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- XC6501A251GR-G
- XC6501A281GR-G
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- RGP15D-E3/4
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- RGH1608-2C-P-102-B
- XC6124A243MG-G
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- XC6124A327MR-G
- XC6124A333MR-G
- XC6124A337ER-G
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- RGP10G/3
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- RGP10GE/16
- RGP10GE/3
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- XC6501A1817R-G
- XC6501A2517R-G
- XC6501A2817R-G
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